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    • IBM y Harvard: los transistores pueden ser más rápidos

    editada por R. Daneel Olivaw el 21 de Junio 2006, 10:34h   Printer-friendly   Email story
    desde el dept. quien-no-corre-vuela
    Tecnología
    sammael nos cuenta: «No se si es coincidencia o no, pero hoy me encuentro con dos noticias sobre transistores. Por un lado, leyendo Wired, me entero que los científicos de IBM están haciendo pruebas con transistores hechos de silicio y germanio capaces de llegar a 300 GHz a temperatura ambiente (y a 500 GHz cuando se enfrían hasta cerca del 0 absoluto). Según estos científicos estos avances darán lugar a procesadores muchísimo más veloces que los actuales, aunque reconocen que no estarán cerca de estas velocidades. Por otro lado, según Techreview.com y a través de slashdot, investigadores en Harvard han demostrado que se pueden hacer transistores con nanocables que pueden llegar a ser hasta 4 veces más rápidos que los actuales de silicio. Se podrían integrar en plásticos, haciendo posibles aparatos tales como pantallas flexibles que procesen la información en la propia pantalla.»

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