Barrapunto

Es una tema muy puntero, pero Motorola ya hizo CI para sus telefónos móviles que incluian Dióxido Haffnio como aislante en la estructura Metal-Aislante-Semiconductor de los MOSFET hará unos 3 años.

La ventaja del HfO2 frente al dióxido de silicio es su elevada permitidad eléctrica relativa, lo que le permite adelgazar el espesor del aislante una barbaridad y por ende, meter más transistores.

Bueno, vamos a dejarlo en sí pero no... Me explico.

Adelgazar el espesor del aislante no permite aumentar el número de transistores de un IC porque no hace variar las dimensiones de los transistores en el plano XY del circuito, que es lo que determina las dimensiones finales del IC. Lo que sí permite el cambio de dieléctrico es que se pueda crear un canal con las mismas prestaciones para tamaños menores del transistor (plano XY), manteniendo el mismo espesor de su puerta (eje Z). Ahora bien, piensa que se está fabricando a 45 nm de logitud de canal (y proyectando a 32 nm) y eso son unos pocos átomos de Silicio (posiblemente no más de 10, no me acuerdo del diámetro exacto), con lo que no está tan claro que en la práctica vaya a servir para mucho, al menos si no se cambia la forma de diseñar los IC's.

(Me ahorro todo el follón de la explicación técnica que sustenta todo esto, pues ocupa bastante y creo no viene al caso, además de necesitar de unas cuantas fórmulas ininteligibles)